3.回差值：動(dòng)作距離與復(fù)位距離之間的絕對(duì)值。4.標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)體：可使接近開關(guān)作比較的金屬檢測(cè)體。本廠所采用的檢測(cè)體為正方形的A3鋼，厚度為1mm，所采用的邊長(zhǎng)是接近開關(guān)檢測(cè)面的2.5倍。5.輸出狀態(tài)：分常開和常閉。當(dāng)無檢測(cè)物體時(shí)，常開型的接近開關(guān)所接通的負(fù)載，由于接近開關(guān)內(nèi)部的輸出的截止而不工作，當(dāng)檢測(cè)到物體時(shí)，管導(dǎo)通，負(fù)載得電工作。

觸點(diǎn)接近開關(guān)電感式接近開關(guān)在應(yīng)用過程中注意的問題性能特點(diǎn)在各類開關(guān)中，有一種對(duì)接近它物件有&lquo;感知&rquo;能力的元件&mash;&mash;位移傳感器觸點(diǎn)接近開關(guān)。利用位移傳感器對(duì)接近物體的特性達(dá)到控制開關(guān)通或斷的目的，這就是接近開關(guān)。

霍爾式接近開關(guān)工作原理：當(dāng)一塊通有電流的金屬或半導(dǎo)體薄片垂直地放在磁場(chǎng)中時(shí)，薄片的兩端就會(huì)產(chǎn)生電位差，這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應(yīng)。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢(shì)U，其表達(dá)式為U=K?I?B/其中K為霍爾系數(shù)，I為薄片中通過的電流，B為外加磁場(chǎng)（洛倫慈力Lorrentz）的磁感應(yīng)強(qiáng)度，是薄片的厚度。由此可見，霍爾效應(yīng)的靈敏度高低與外加磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度成正比的關(guān)系。

觸點(diǎn)接近開關(guān)電感式接近開關(guān)由三大部分組成：振蕩器、開關(guān)電路及放大輸出電路。振蕩器是由繞在磁芯上的線圈而構(gòu)成的LC振蕩電路。振蕩器通過傳感器的感應(yīng)面4.1.3.金屬體和非金屬要進(jìn)行遠(yuǎn)距離檢測(cè)和控制時(shí)，應(yīng)選用光電型接近開關(guān)或超聲波型接近開關(guān)。4.1.4.對(duì)于檢測(cè)體為金屬時(shí)，若檢測(cè)靈敏度要求不高時(shí)，可選用價(jià)格低廉的磁性接近開關(guān)或霍爾式接近開關(guān)。4.2.接近開關(guān)技術(shù)指標(biāo)檢測(cè)，在其前方產(chǎn)生一個(gè)高頻交變的電磁場(chǎng)，當(dāng)外界的金屬物體接近這一磁場(chǎng)，并達(dá)到感應(yīng)區(qū)時(shí)，在金屬物體內(nèi)產(chǎn)生渦流效應(yīng)，從而導(dǎo)致LC振蕩電路振蕩減弱或停止振蕩，這一振蕩變化，被后置電路放大處理并轉(zhuǎn)換為一個(gè)具有確定開關(guān)輸出信號(hào)，從而達(dá)到非接觸式檢測(cè)目標(biāo)之目的。

觸點(diǎn)接近開關(guān)相反，當(dāng)采用NPN集電極開路型接近開關(guān)時(shí)，由于接近開關(guān)內(nèi)部輸出端與24V間的電阻很大，無法提供電耦合器件所需要的驅(qū)動(dòng)電流，因此需要增加“上拉電阻”觸點(diǎn)接近開關(guān)3）本帖中兩個(gè)插圖是在廠商提供的產(chǎn)品樣本的基礎(chǔ)上補(bǔ)充繪制而成的，供參考。）接近開關(guān)有兩線制和三線制之區(qū)別，三線制接近開關(guān)又分為NPN型和PNP型，它們的接線是不同的。請(qǐng)見下圖所示：2）兩線制接近開關(guān)的接線比較簡(jiǎn)單，接近開關(guān)與負(fù)載串聯(lián)后接到電源即可。。如圖。增加下拉電阻后應(yīng)注意，此時(shí)的PLC內(nèi)部輸入信號(hào)與接近開關(guān)發(fā)信狀態(tài)相反，即接近開關(guān)發(fā)信時(shí)，“上拉電阻”上端為0V，光電耦合器件無電流，內(nèi)部信號(hào)為“0”；未發(fā)信時(shí)，PLC內(nèi)部DC24V與0V之間，通過光電耦合器件、限流電阻、“上拉電阻”經(jīng)公共端COM構(gòu)成電流回路，輸入為“1”。